IGBT的驱动电路
（1)对驱动电路的要求
①IGBT是电压驱动的，具有一个2.5~5.0V的阀值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。
②用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压UCE有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。
③驱动电路中的正偏压应为+12~+15V，负偏压应为-2~-10V。
④IGBT多用于高压场合，故驱动电路应整个控制电路在电位上严格隔离。
⑤驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。
⑥若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。
（2)驱动电路
因为IGBT的输入特性几乎与MOSFET相同，所以用于MOSFET的驱动电路同样可以用于IGBT。
在用于驱动电动机的逆变器电路中，为使IGBT能够稳定工作，要求IGBT的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。
为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端的光耦合器件。
基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动电路的输入线应为绞合线
为抑制输入信号的振荡现象，基极和发射极并联一阻尼网络。
驱动电路的输出级采用互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。
IGBT基极驱动电路
（a）阻尼滤波 （b) 光电隔离
（3)集成化驱动电路
IGBT有与其配套的集成驱动电路。
这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能完善，可实现IGBT的Zui优驱动。